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参数资料
| 型号： | RJK6025DPD-00#J2 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.5pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 29.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | MP-3A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK6025DPD-00#J2DKR |
RJK6025DPD
Main Characteristics
Maximum Safe Operation Area
Preliminary
Typical Output Characteristics
10
1.2
Ta = 25 ° C
1.0
Pulse Test
6V
5.8 V
8, 10 V
1
10
μ s
0.8
5.6 V
0.6
5.4 V
0.1
Operation in this
area is limited by
R DS(on)
Tc = 25 ° C
0.4
0.2
5.2 V
5V
V GS = 4.8 V
0.01
1
1 shot
10
100
1000
0
0
4
8
12
16
20
Drain to Source Voltage
V DS (V)
Drain to Source Voltage
V DS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
1
Typical Transfer Characteristics
V DS = 10 V
Pulse Test
100
vs. Drain Current (Typical)
V GS = 10 V
Ta = 25 ° C
Pulse Test
0.1
10
0.01
Tc = 75 ° C
25°C
?25°C
0.001
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
Gate to Source Voltage
V GS (V)
Drain Current
I D (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature (Typical)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time (Typical)
50
V GS = 10 V
1000
Pulse Test
40
30
I D = 0.8 A
100
20
0.2 A
0.4 A
10
0
10
di / dt = 100 A / μ s
V GS = 0, Ta = 25 ° C
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
1
10
Case Temperature
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
Tc ( ° C)
Reverse Drain Current
I DR (A)
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Feb 17, 2012
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