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参数资料
| 型号： | RJK6025DPD-00#J2 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.5pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 29.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | MP-3A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK6025DPD-00#J2DKR |
RJK6025DPD
Typical Capacitance vs.
Preliminary
Drain to Source Voltage
Dynamic Input Characteristics (Typical)
1000
100
V GS = 0
f = 1 MHz
Ta = 25 ° C
Ciss
800
600
I D = 0.8 A
Ta = 25 ° C
V GS
V DS = 480 V
16
12
V DS
300 V
100 V
10
1
Coss
Crss
400
200
8
4
V DS = 480 V
300 V
0.1
0
100 V
0
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100
Drain to Source Voltage
V DS (V)
Gate Charge
Qg (nC)
1.2
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage (Typical)
5
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature (Typical)
1.0
V GS = 0 V
Ta = 25 ° C
Pulse Test
4
0.8
0.6
3
I D = 10 mA
1 mA
0.1 mA
2
0.4
0.2
0
1
0
V DS = 10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-25
0
25
50
75
100 125 150
Source to Drain Voltage
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
V SD (V)
Case Temperature
Tc ( ° C)
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Feb 17, 2012
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