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参数资料
| 型号： | RJK03E0DNS-00#J5 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3050pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK03E0DNS-00#J5DKR |
RJK03E0DNS
Package Dimensions
Preliminary
Package Name
HWSON-8
JEITA Package Code
P-HWSON8-2.9x3.1-0.65
3.3 ± 0.1
RENESAS Code
PWSN0008JB-A
Previous Code
?
0.8 Max
MASS[Typ.]
0.022g
2.27 ± 0.2
(2.55)
0.575 Typ
0.65 Typ
0.22 Typ
0.32 ± 0.08
3.1 ± 0.1
Ordering Information
Orderable Part Number
RJK03E0DNS-00-J5 5000 pcs
Quantity
Taping
Shipping Container
Note:
The symbol of 2nd "-" is occasionally presented as "#".
R07DS0656EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
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PDF描述 |
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| RL3004-6.56-59-D1 | THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RJK03E1DNS-00#J5 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-HWSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| RJK03E1DNS-00-J5 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E2DNS | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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