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参数资料
| 型号： | RJK0230DPA-00#J5A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 25V 20A WPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A，50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W，35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WPAK-D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK0230DPA-00#J5ADKR |
Preliminary Datasheet
RJK0230DPA
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode
High Speed Power Switching
R07DS0541EJ0110
Rev.1.10
Sep 12, 2011
Features
?
?
?
?
?
Low on-resistance
Capable of 4.5 V gate drive
High density mounting
Pb-free
Halogen-free
Outline
RENESAS Package code: PWSN0008DD-B
(Package name: WPAK-D(3))
2
3
4
9
D1 D1 D1
S1/D2
5
6
7
8
5 6 7 8
1
G1
8
G2
9
1, 8 Gate
2, 3, 4, 9 Drain
4 3 2 1
5, 6, 7, 9 Source
4
3
2
1
S2 S2 S2
5 6 7
(Bottom View)
MOS1
MOS2 and
Schottky Barrier Diode
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Ratings
I D(pulse)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V DSS
V GSS
I D
Note1
I DR
I AP Note 2
E AR Note 2
Pch Note3
Tch
Tstg
MOS1
25
±20
20
80
20
12
18
15
150
–55 to +150
MOS2
25
±12
50
200
50
23
66
35
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C
° C
Notes: 1. PW ? 10 ? s, duty cycle ? 1%
2. Value at Tch = 25 ? C, Rg ? 50 ??
3. Tc=25 ? C
R07DS0541EJ0110 Rev.1.10
Sep 12, 2011
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