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参数资料
| 型号： | RJK0230DPA-00#J5A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 25V 20A WPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A，50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W，35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WPAK-D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK0230DPA-00#J5ADKR |
RJK0230DPA
Static Drain to Source On State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
10000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Preliminary
16
I D = 2 A, 5 A, 10 A
3000
12
1000
Ciss
8
V GS = 4.5 V
300
100
Coss
4
10 V
2 A, 5 A, 10 A
30
V GS = 0
Crss
0
10
f = 1 MHz
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
25
Case Temperature Tc (°C)
Dynamic Input Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
I D = 20 A
V DD = 20 V
V GS
20
16
50
40
10 V
5V
Pulse Test
10 V
30
20
V DS
12
8
30
20
10
V DD = 20 V
4
10
V GS = 0, –5 V
10 V
0
0
6
12
18
24
0
30
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
16
12
8
4
0
Gate Charge Qg (nc)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Source to Drain Voltage V SD (V)
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (°C)
R07DS0541EJ0110 Rev.1.10
Sep 12, 2011
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