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参数资料
| 型号： | RJK0230DPA-00#J5A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 25V 20A WPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A，50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W，35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WPAK-D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK0230DPA-00#J5ADKR |
RJK0230DPA
? MOS2 and Schottky Barrier Diode
Power vs. Temperature Derating
40
1000
Preliminary
Maximum Safe Operation Area
1m
ms
30
100
10
s
i n
20
10
Operation in
DC
Op
er
at
o
10
1
this area is
limited by R DS(on)
Tc = 25 °C
0.1 1 shot Pulse
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
100
Case Temperature Tc (°C)
Typical Output Characteristics
100
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Transfer Characteristics
80
4.5 V
8V
2.7 V
Pulse Test
2.6 V
80
V DS = 5 V
Pulse Test
60
60
40
2.5 V
40
20
V GS = 2.4 V
20
Tc = 75°C
25°C
–25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Drain to Source Voltage V DS (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage V GS (V)
Static Drain to Source On State Resistance
vs. Drain Current
80
60
Pulse Test
10
3
Pulse Test
V GS = 4.5 V
40
I D = 20 A
1
8V
20
10 A
5A
0.3
0
3
6
9
12
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
Gate to Source Voltage V GS (V)
R07DS0541EJ0110 Rev.1.10
Sep 12, 2011
Drain Current I D (A)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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