参数资料
型号: RMW130N03TB
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/7页
文件大小: 0K
描述: MOSF N CH 30V 13A PSOP8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.6 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 标准包装
其它名称: RMW130N03TBDKR
RMW130N03
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
 
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
30
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on) *
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
-
1.0
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9.0
12.6
-
650
310
85
11
35
30
8
12
2.7
2.6
1
2.5
12.6
17.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
? A
V
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS =30V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
I D =13A, V GS =10V
I D =13A, V GS =4.5V
I D =13A, V DS =10V
V DS =15V
V GS =0V
f=1MHz
I D =6A, V DD 15V
V GS =10V
R L =2.5 ?
R G =10 ?
I D =13A, V DD 15V
V GS =10V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I s =2.5A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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PDF描述
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