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参数资料
| 型号： | RMW130N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 13A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.6 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW130N03TBDKR |
RMW130N03
? Electrical characteristic curves (Ta=25 ? C)
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
13
13
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
Data Sheet
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta=25 ° C
Pulsed
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
Ta=25 ° C
Pulsed
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
10
1
V DS = 10V
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
10
Ta=25 ° C
Pulsed
.
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
1
0.1
1
10
100
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
DRAIN-CURRENT : I D [A]
100
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
V GS = 10V
Pulsed
100
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
V GS = 4.5V
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
10
10
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
DRAIN-CURRENT : I D [A]
DRAIN-CURRENT : I D [A]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMW150N03TB | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
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| RMW200N03TB | MOSF N CH 30V 20A PSOP8 |
| RMW280N03TB | MOSF N CH 30V 28A PSOP8 |
| RN-134-K | KIT EVAL WIFLY GSX 802.11 RN-134 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RMW-140/42-1200/ADH-0 | 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆，导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW 标准包装:5,000 系列:MT2000 类型:套管，弹性 收缩比率:2.5 至 1 长度:- 内径 - 提供:0.038"（1.0mm） 内径 - 恢复:0.018"（0.5mm） 已恢复的墙壁厚度:0.010"（0.25mm） 材质:聚烯烃 特点:防水 颜色:黑 其它名称:3679794002 |
| RMW-140/42-1200/U-0 | 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆，导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW MSDS 材料安全数据表:HSTT,HSTTA,HSTTV, HSTTVA Series MSDS 标准包装:1 系列:HSTTV 类型:套管，弹性 收缩比率:2 至 1 长度:1000' (304.8m) 内径 - 提供:0.063"（1.6mm） 内径 - 恢复:0.031"（0.8mm） 已恢复的墙壁厚度:0.017"（0.43mm） 材质:聚烯烃 特点:阻燃 颜色:白 |
| RMW150N03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4.5V Drive Nch MOSFET |
| RMW150N03TB | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RMW-16/5/ADH-0-1.5IN | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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