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参数资料
| 型号： | RP1A090ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1A090ZPDKR |
RP1A090ZP
? Electrical characteristics (Ta = 25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 12
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
? 0.3
-
-
? 1
? 1.0
μ A
V
V DS = ? 12V, V GS =0V
V DS = ? 6V, I D = ? 1mA
-
8
12
I D = ? 9A, V GS = ? 4.5V
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
11
15
16
23
m Ω
I D = ? 4.5A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 4.5A, V GS = ? 1.8V
-
19
38
I D = ? 1.8A, V GS = ? 1.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7400
800
750
35
120
350
170
59
11
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = ? 9A, V DS = ? 6V
V DS = ? 6V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 4.5A, V DD ? 6V
V GS = ? 4.5V
R L =1.3 Ω
R G =10 Ω
I D = ? 9A,
V GS = ? 4.5V
V DD ? 6V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ° C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 9A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.B
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PDF描述 |
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