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参数资料
| 型号： | RP1A090ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1A090ZPDKR |
RP1A090ZP
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
V G
Fig.1-2 Switching Waveforms
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
? Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design
ESD protection circuit.
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RP1E050RPTR | MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 |
| RP1E090RPTR | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
| RP1E100RPTR | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1A12 | 制造商:Master Electronic Controls (MEC) 功能描述: |
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