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参数资料
| 型号： | RP1E090RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.9 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E090RPDKR |
RP1E090RP
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS =±20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
? 30
-
-
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
? 1.0
-
-
? 1
? 2.5
? A
V
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
R DS (on)
Static drain-source on-state
resistance
*
-
-
13
18
21
16.9
25.2
29.4
I D = ? 9A, V GS = ? 10V
m ? I D = ? 9A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 9A, V GS = ? 4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3000
360
360
20
30
135
80
30
7
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = ? 9A, V DS = ? 10V
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 4.5A, V DD ? 15V
V GS = ? 10V
R L =3.3 ?
R G =10 ?
I D = ? 9A
V DD -15V
V GS = ? 5V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I s = ? 9A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RP1E100RPTR | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM5340-H14E2A | RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E090XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E090XNTCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
| RP1E100RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RP1E100RPTR | 功能描述:MOSFET Pch -30V -10A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RP1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
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