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参数资料
| 型号： | RP1E090RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.9 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E090RPDKR |
RP1E090RP
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
V GS =-3.2V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -4.0V
V GS = -3.4V
V GS = -3.2V
Ta=25°C
V GS = -2.8V
Pulsed
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Ta=25°C
Pulsed
V GS =-2.8V
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -4.0V
V GS = -2.4V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
V DS = -10V
Pulsed
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical output characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical output characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
100
Ta=25°C
Pulsed
100
V GS = -10V
Pulsed
100
V GS = -4.5V
Pulsed
10
1
V GS = -4.0V
V GS = -4.5V
V GS = -10V
10
1
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
10
1
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
0.1
1
10
0.1
1
10
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
100
V GS = -4.0V
100
V DS = -10V
100
V GS =0V
Pulsed
10
Pulsed
10
Pulsed
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
10
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
1
Ta= 125 ℃
Ta= 75 ℃
Ta= 25 ℃
1
0.1
Ta= 25 ℃
Ta= - 25 ℃
Ta= - 25 ℃
1
0
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
3/5
SOURCE - DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RP1E100RPTR | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM5340-H14E2A | RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E090XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E090XNTCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
| RP1E100RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RP1E100RPTR | 功能描述:MOSFET Pch -30V -10A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RP1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
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