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参数资料
| 型号： | RP1E090RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.9 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E090RPDKR |
RP1E090RP
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
V G
Fig.1-2 Switching Waveforms
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/5
2010.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RP1E100RPTR | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM5340-H14E2A | RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E090XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E090XNTCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 |
| RP1E100RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RP1E100RPTR | 功能描述:MOSFET Pch -30V -10A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RP1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
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