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参数资料
| 型号： | RRQ030P03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-95-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RRQ030P03
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
208
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = - 1mA
Min.
- 30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = - 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
- 25
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = - 30V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V DS = - 10V, I D = - 1mA
I D = - 1mA
referenced to 25°C
-
-
- 1.0
-
-
-
-
3.9
- 1
? 10
- 2.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS = - 10V, I D = - 3A
-
55
75
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5
V GS = - 4.5V, I D = - 1.5A
V GS = - 4.0V, I D = - 1.5A
-
-
85
95
115
125
m W
V GS = - 10V, I D = - 3A, T j =125°C
-
95
125
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = - 10V, I D = - 3A
-
2.4
24
5.0
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRQ045P03TR | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| RRR015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 |
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| RRR040P03TL | MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRQ045P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRQ045P03TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| RRR015P03TL | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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