参数资料
型号: RRQ030P03TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-95-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 带卷 (TR)
RRQ030P03
l Electrical characteristic curves
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
Data Sheet
1000
100
V GS = - 4.0V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
100
C iss
C oss
C rss
10
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
10
100
Drain Current : -I D [A]
Fig.19 Switching Characteristics
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
1000
100
t d(off)
t f
T a =25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
Pulsed
10
8
6
4
10
t r
t d(on)
2
T a =25oC
V DD = - 15V
I D = - 3.0A
R G =10 W
Pulsed
1
0.01
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
Drain Current : -I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
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2012.09 - Rev.B
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