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参数资料
| 型号： | RRR015P03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RRR015P03
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *5
t r *5
t d(off) *5
t f *5
Conditions
V GS = 0V
V DS = - 10V
f = 1MHz
V DD ? -15V, V GS = - 10V
I D = - 0.7A
R L = 21.4 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
230
40
33
12
8
40
13
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Symbol
Q g *5
Q gs *5
Q gd *5
Conditions
V DD ? - 15V, I D = - 1.5A
V GS = - 5V
V DD ? - 15V, I D = - 1.5A
V GS = - 10V
V DD ? - 15V, I D = - 1.5A
V GS = - 5V
Min.
-
-
-
-
Values
Typ.
3.2
6.5
1.2
0.7
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Forward voltage
Symbol
I S *1
V SD *5
Conditions
T a = 25°C
V GS = 0V, I s = - 1.5A
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
- 0.8
- 1.2
Unit
A
V
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/11
2012.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRR030P03TL | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
| RRR040P03TL | MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 |
| RSD050N06TL | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| RSD200N10TL | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
| RSE002P03TL | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRR030P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRR030P03TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RRR040P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRR040P03TL | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| RRR250 | 制造商:Electrolube 功能描述:CLEANER, ROLLER RESTORER 250ML |
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