参数资料
型号: RRR015P03TL
厂商: Rohm Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 160 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 230pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SMT3
包装: 带卷 (TR)
RRR015P03
l Electrical characteristic curves
Fig.9 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
Data Sheet
Fig.10 Transconductance vs. Drain Current
3
V DS = - 10V
I D = - 1mA
Pulsed
10
V DS = - 10V
Pulsed
2
1
1
T a = - 25oC
T a =25oC
T a =75oC
T a =125oC
0
-50
0
50
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.11 Drain CurrentDerating Curve
1.2
Drain Current : -I D [A]
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
500
1
0.8
400
300
I D = - 1.5A
I D = - 0.7A
T a =25oC
Pulsed
0.6
200
0.4
0.2
100
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
Junction Temperature : T j [oC]
Gate - Source Voltage : -V GS [V]
www.rohm.com
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2012.09 - Rev.B
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