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参数资料
| 型号： | RSB6.8CST2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER BIDIR 100MW VMN2 |
| 产品目录绘图： | Zener Diode VMN2 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.5V |
| 电压 - 击穿： | 5.78V |
| 功率（瓦特）： | 10W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMN2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1649 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB6.8CST2RDKR |
ESD Protection diode
RSB6.8CS
Application
Dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
ESD Protection, bi direction
0.55
Features
1) Ultra small mold type. (VMN2)
2) High reliability.
3) Bi chip-mounter, automatic mounting
is possible.
VMN2
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Taping specifications (Unit : mm)
Structure
Parameter
Peak pulse power (tp=10×1000us)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Operating temperature
Symbol
Ppk
P
Tj
Tstg
Topor
Limits
10
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
W
mW
° C
° C
° C
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V z
I R
Ct
Min.
5.78
-
-
Typ.
-
-
15
Max.
7.82
0.5
-
Unit
V
μA
pF
Conditions
I Z =1mA
V R =3.5V
V R =0V , f=1MHz
www.rohm.com
?2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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