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参数资料
| 型号： | RSB6.8CST2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER BIDIR 100MW VMN2 |
| 产品目录绘图： | Zener Diode VMN2 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.5V |
| 电压 - 击穿： | 5.78V |
| 功率（瓦特）： | 10W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMN2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1649 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB6.8CST2RDKR |
RSB6.8CS
Electrical characteristics curves
Data Sheet
1
10000
Ta=150 ° C
Ta=125 ° C
100
0.1
1000
100
10
1
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
f=1MHz
0.01
Ta=150 ° C
0.1
0.01
Ta=-25 ° C
10
0.001
0.0001
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta=-25 ° C
0.001
0.0001
0.00001
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
6.9
ZENER VOLTAGE : Vz(mV)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
10
REVERSE VOLTAGE : V R (V)
V R -I R CHARACTERISTICS
50
REVERSE VOLTAGE : V R (V)
V R -Ct CHARACTERISTICS
Ta=25 ° C
9
Ta=25 ° C
45
Ta=25 ° C
6.8
Iz=1mA
n=30pcs
8
V R =3.5V
n=30pcs
40
f=1MHz
V R =0V
7
35
n=10pcs
6.7
6.6
6
5
4
30
25
20
3
AVE:0.9344n
15
6.5
AVE:6.693V
2
A
10
AVE:14.95pF
1
5
6.4
1000
Vz DISRESION MAP
Rth(j-a)
Rth(j-c)
0
I R DISRESION MAP
0
Ct DISRESION MAP
100
Mounted on epoxy board
10
IM=10mA
1ms
300
time
I F =100mA
0.001
0.01
0.1
1 10 100
1000
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
www.rohm.com
?2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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