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参数资料
| 型号： | RSH070P05TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSH070P05TB1DKR |
RSH070P05
? Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
±10
Unit
μ A
Conditions
V GS =±20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 45
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
? 1.0
?
?
?
?
?
19
25
28
? 1
? 2.5
27
35
39
μ A
V
m Ω
m Ω
m Ω
V DS = ? 45V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 7A, V GS = ? 10V
I D = ? 7A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 7A, V GS = ? 4.0V
Forward transfer admittance
Y fs ? 10.0
?
?
S
V DS = ? 10V, I D = ? 7A
?
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f ?
?
?
?
?
?
?
?
4100
510
330
31
35
135
50
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 25V
I D = ? 3.5A
V GS = ? 10V
R L = ? 7 Ω
R G =10 Ω
Total gate charge
Q g ?
?
34.0
47.6
nC
V DD
? 25V V GS = ? 5V
Gate-source charge
Q gs ?
?
9.5
?
nC
I D = ? 7A
Gate-drain charge
Q gd ?
?
12
?
nC
R L =3.5 Ω
R G =10 Ω
? Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ? C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 7A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.12 - Rev.A
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