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参数资料
| 型号： | RSH070P05TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSH070P05TB1DKR |
RSH070P05
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
10
1
VDS= -10V
pulsed
Ta=125 o C
75 o C
1000
100
V GS = -10V
pulsed
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
-25 o C
1000
100
V GS = -4.5V
pulsed
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
-25 o C
25 o C
-25 o C
0.1
0.01
10
1
10
1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Gate-Source Voltage : -V GS [V]
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
1000
Drain Current : -I D [A]
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (1)
200
Drain Current : -I D [A]
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (2)
10
100
10
V GS = -4V
pulsed
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
-25 o C
150
100
I D = -7.0A
Ta=25 o C
pulsed
1
0.1
Ta=125 o C
75 o C
25 o C
-25 o C
V GS =0V
pulsed
50
1
0
I D = -3.5A
0.01
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
0.0
0.5
1.0
1.5
Drain Current : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (3)
Gate-Source Voltage : -V GS [V]
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
Source-Drain Voltage : -V SD [V]
Fig.6 Source-Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
1000
100
Ta=25 o C
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
10000
1000
100
10
td(off)
td(on)
tf
tr
Ta=25 o C
V DD = -25V
V GS = -10V
R G =10 ?
Pulsed
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Ta=25 o C
V DD = -25V
I D = -7.0A
R G =10 ?
Pulsed
V GS =0V
1
10
1
0
0.1
1 10
Drain-Source Voltage : -V DS [V]
100
0.01
0.1 1
Drain Current : -I D [A]
10
0
10
20 30 40 50
Total Gate Charge : Qg [nC]
60
70
Fig.7 Typical capacitance vs.
Source-Drain Voltage
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.8 Switching Characteristics
3/4
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
2009.12 - Rev.A
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