- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录504 > RSQ015N06TR (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RSQ015N06TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
T a =125oC
RSQ015N06
l Electrical characteristic curves
Fig.15 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(II)
10000
V GS = 10V
Pulsed
T a =75oC
T a =25oC
1000 T a = - 25oC
100
Data Sheet
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)
10000
V GS = 4.5V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
1000 T a = - 25oC
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
10000
Drain Current : I D [A]
1000
100
V GS = 4.0V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
8/11
2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSQ020N03TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| RSQ045N03TR | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| RSR020N06TL | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6 |
| RSR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RSR030N06TL | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSQ015P10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RSQ015P10TR | 功能描述:MOSFET 4V Drive Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RSQ020N03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RSQ020N03TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RSQ025P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:DC-DC Converter (-30V, -2.5A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。