参数资料
型号: RSQ020N03TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 134 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RSQ020N03DKR
RSQ020N03
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
180
160
140
120
100
80
60
40
20
V GS = 10V
I D = 2.0A
Pulsed
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Drain Current : I D [A]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Drain Current : I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
Drain Current : I D [A]
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2012.11 - Rev.B
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