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参数资料
| 型号： | RUF025N02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-3 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RUF025N02TLDKR |
RUF025N02
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
156
391
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
20
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D =1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
20
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 20V, V GS = 0V
V GS = ? 10V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D =1mA
referenced to 25°C
-
-
0.3
-
-
-
-
- 1.9
1
? 10
1.3
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =4.5V, I D =2.5A
V GS =2.5V, I D =2.5A
-
-
39
49
54
68
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5 V GS =1.8V, I D =1.3A
V GS =1.5V, I D =0.5A
V GS =4.5V, I D =2.5A, T j =125°C
-
-
-
65
80
65
91
160
95
m W
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS =10V, I D =2.5A
-
3.6
7.5
6.0
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a seramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT |
| RUQ050N02TR | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUF735-02010-A111 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 32GB SSD, 2GB RAM, Ubuntu8.04, 12-25VDC, ETT, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
| RUF735-02020-A101 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 64GB SSD, 2GB RAM, Ubuntu8.04, 12-25VDC, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
| RUF735-02030-A101 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 128GB SSD, 2GB RAM, Ubuntu8.04, 12-25VDC, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
| RUF735W-02010-1111 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 32GB SSD, 2GB RAM, WinXPES, 14-32VDC, ETT, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
| RUF735W-02010-A101 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 32GB SSD, 2GB RAM, Ubuntu8.04, 14-32VDC, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
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