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参数资料
| 型号： | RUL035N02TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 460pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RUL035N02DKR |
RUL035N02
l Electrical characteristic curves
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Drain Current : I D [A]
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
Drain Current : I D [A]
Data Sheet
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
Drain Current : I D [A]
Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(V)
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUM002N02T2L | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 |
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| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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