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STF9NM60N(045Y)

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  • STF9NM60N(045Y)
    STF9NM60N(045Y)

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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-220F

  • 22+

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  • 十年配单,只做原装

  • STF9NM60N(045Y)
    STF9NM60N(045Y)

    STF9NM60N(045Y)

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 50000

  • ST

  • TO-220F

  • 21+

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  • 原装正品现货,支持BOM配单!

  • STF9NM60N(045Y)
    STF9NM60N(045Y)

    STF9NM60N(045Y)

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220F

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • STF9NM60N(045Y)
    STF9NM60N(045Y)

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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • ST/意法

  • TO-220F

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STF9NM60N(045Y) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STF9NM60N(045Y) 技术参数
  • STF9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):745 毫欧 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):452pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):560 毫欧 @ 3.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):570pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1,000 STF9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1,000 STF9NK60ZD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):340pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STFI11N65M2 STFI11NM65N STFI12N60M2 STFI130N10F3 STFI13N60M2 STFI13N65M2 STFI13N80K5 STFI13N95K3 STFI13NK60Z STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N
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