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STH13NB60

配单专家企业名单
  • 型号
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  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 15326

  • ST

  • TO-3P

  • 2024+

  • -
  • 不怕你不买只怕你不问

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • ST

  • TO247

  • 2016+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • ST

  • TO247

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 144

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STH13NB60F1
    STH13NB60F1

    STH13NB60F1

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STH13NB60
    STH13NB60

    STH13NB60

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • S

  • TO

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    联系人:李小姐/肖先生

    电话:0755-8257149682571956

    地址:赛格广场69楼6900

    资质:营业执照

  • 10215

  • ST

  • TO-218

  • 21+

  • -
  • ★假一赔十!绝对原装现货市场最低价!★

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-3PF

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STH13NB60
    STH13NB60

    STH13NB60

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • ST

  • TO247

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • ST

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • STH13NB60FI
    STH13NB60FI

    STH13NB60FI

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 18+

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  • 原装正品,欢迎订购

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
STH13NB60 技术参数
  • STH130N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3305pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):690 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH110N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STGYA120M65DF2 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,120A 功率 - 最大值:625W 开关能量:1.8mJ(开),4.41mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:66ns/185ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):202ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 裸露焊盘 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:600 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6
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