STF7NM60N全国供应商 STF7NM60N资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

STF7NM60N
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STF7NM60N
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
STMicroelectronics
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

STF7NM60N
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
ST/意法
TO-220F
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

STF7NM60N
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：13168731828
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515
资质：营业执照
5000
ST/意法
原厂封装
21+
-
全新进口原装

STF7NM60N
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
ST专家
TO-220F
21+
-
只做原装正品

STF7NM60N
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
790
ST
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

STF7NM60N
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
2750
STM
ORIGONAL
16+
-
0.3835 USD,szpoweric...

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功能描述
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STF7NM60N 技术参数

STF7NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:50 STF7N80K5 功能描述:MOSFET N CH 800V 6A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF8NK85Z STF8NM50N STF8NM60N STF8NM60ND STF9HN65M2 STF9N60M2 STF9N65M2 STF9N80K5 STF9NK60ZD STF9NK80Z STF9NK90Z STF9NM50N STF9NM60N STFH10N60M2 STFH13N60M2 STFH18N60M2 STFH24N60M2 STFI10LN80K5

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