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参数资料
| 型号： | SBAS116LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS116LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR
= 100
Adc)
V(BR)
75
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (VR
= 75 Vdc)
Reverse Voltage Leakage Current (VR
= 75 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
5.0
80
nAdc
Forward Voltage (IF
= 1.0 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 50 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
900
1000
1100
1250
mV
Diode Capacitance (VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
3.0
s
1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
Output
Pulse
Generator
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Capacitance
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
1
10
100
1,000
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
150°C
?55°C
25°C
80
TA
= 25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS16HT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD323 |
| SBAS16LT3G | DIODE SWITCH 75V 200MA SOT-23 |
| SBAS16WT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT323 |
| SBAS16XV2T1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD523 |
| SBAS20HT1G | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS16 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:High-Speed Switching Diode |
| SBAS16DXV6T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode |
| SBAS16HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS16HT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
| SBAS16LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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