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参数资料
| 型号： | SBAS16XV2T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 88K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
            ? Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 April, 2013 ? Rev. 7 1 Publication Order Number: BAS16XV2T1/D BAS16XV2T1G, BAS16XV2T5G, SBAS16XV2T1G Switching Diode Features ? High?Speed Switching Applications ? Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin) ? Qualified Reflow Temperature: 260°C ? Extremely Small SOD?523 Package ? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Continuous Reverse Voltage VR 100 V Continuous Forward Current IF 200 mA Peak Forward Surge Current IFM(surge) 500 mA Repetitive Peak Forward Current IFRM 500 mA Non?Repetitive Peak Forward Current (Square Wave, TJ = 25 °C prior to surge) t = 1 s t = 1 ms t = 1 s IFSM 4.0 1.0 0.5 A Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation, (Note 1) TA = 25 °C Derate above 25°C PD 200 1.57 mW mW/°C Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RθJA 635 °C/W Junction and Storage Temperature TJ, Tstg ?55 to 150 °C 1. FR-5 Minimum Pad. http://onsemi.com 1 CATHODE 2 ANODE Device Package Shipping? ORDERING INFORMATION ?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. SOD?523 CASE 502 PLASTIC A6 = Specific Device Code M = Date Code = Pb?Free Package MARKING DIAGRAM 1 2 A6 M 12 BAS16XV2T1G SOD?523 (Pb?Free) 3000 / Tape & Reel BAS16XV2T5G SOD?523 (Pb?Free) 8000 / Tape & Reel (Note: Microdot may be in either location) SBAS16XV2T1G SOD?523 (Pb?Free) 3000 /T ape & Reel |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS20HT1G | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS20HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS20LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS21DW5 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS21DW5T1G | 功能描述:DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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