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参数资料
| 型号： | SBAS16XV2T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 88K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
              BAS16XV2T1G, BAS16XV2T5G, SBAS16XV2T1G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Reverse Voltage Leakage Current (VR = 100 V) (VR = 75 V, T J = 150 °C) (VR = 25 V, T J = 150 °C) IR ? ? ? 1.0 50 30 A Reverse Breakdown Voltage (IBR = 100 A) V(BR) 100 ? V Forward Voltage (IF = 1.0 mA) (IF = 10 mA) (IF = 50 mA) (IF = 150 mA) VF ? ? ? ? 715 855 1000 1250 mV Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz) CD ? 2.0 pF Forward Recovery Voltage (IF = 10 mA, t r = 20 ns) VFR ? 1.75 V Reverse Recovery Time (IF = I R = 10 mA, R L = 50 Ω) trr ? 6.0 ns Stored Charge (IF = 10mA to V R = 5.0V, R L = 500 Ω) QS ? 45 pC Notes: 1. A 2.0 kΩ variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 10 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820 Ω 0.1 μF D.U.T. VR 100 μH 0.1 μF 50 Ω OUTPUT PULSE GENERATOR 50 Ω INPUT SAMPLING OSCILLOSCOPE tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 1.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 10 mA; MEASURED at iR(REC) = 1.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS20HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS20LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS21DW5 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS21DW5T1G | 功能描述:DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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