参数资料
型号: SBAS21LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 66K
描述: DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23
标准包装: 10,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
3
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 30 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
IR(REC)
= 3.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 30 mA; MEASURED
at IR(REC)
= 3.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
10
150°C
20
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0
0.1
0.01
0.001
50 80 110 140
170
1.6
0.40
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.4
1.0
0.6
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
1357246 8
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. VF
vs. I
F
Figure 3. IR
vs. V
R
Figure 4. Capacitance
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
1.0
10
100
85°C
55°C
150°C
125°C
25°C
-55°C
200 230
0.8
1.2
Cap
-40°C
260
125°C
85°C
55°C
25°C
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PDF描述
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