参数资料
型号: SBAS21LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 66K
描述: DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23
标准包装: 10,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT?23 (TO?236)
CASE 318?08
ISSUE AP
D
A1
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
THICKNESS OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.
SCALE 10:1
mm
inches
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
SOLDERING FOOTPRINT*
VIEW C
L
0.25
L1
e
E
HE
b
A
SEE VIEW C
DIM
A
MIN NOM MAX MIN
MILLIMETERS
0.89 1.00 1.11 0.035
INCHES
A1
0.01 0.06 0.10 0.001
b
0.37 0.44 0.50 0.015
c
0.09 0.13 0.18 0.003
D
2.80 2.90 3.04 0.110
E
1.20 1.30 1.40 0.047
e
1.78 1.90 2.04 0.070
L
0.10 0.20 0.30 0.004
0.040 0.044
0.002 0.004
0.018 0.020
0.005 0.007
0.114 0.120
0.051 0.055
0.075 0.081
0.008 0.012
NOM MAX
L1
2.10 2.40 2.64 0.083
0.094 0.104
HE
0.35 0.54 0.69 0.014 0.021 0.029
c
0 ??? 10 0°
°
°
??? 10°
STYLE 8:
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
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SBAS40LT1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879