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参数资料
| 型号： | SBAS21LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
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BAS19LT1G
SOT?23
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BAS19LT3G
SOT?23
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BAS20LT1G
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SOT?23
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SOT?23
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BAS21LT1G
SOT?23
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SOT?23
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BAS21LT3G
SOT?23
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SBAS21LT3G*
SOT?23
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BAS21DW5T1G
SC?88A
(Pb?Free)
3000 / Tape & Reel
SBAS21DW5T1G*
SC?88A
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3000 / Tape & Reel
SBAS21DW5T3G*
SC?88A
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10000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified
and PPAP Capable.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS40LT1G | DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 |
| SBG1030L-T-F | DIODE SCHOTTKY 10A 30V D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SBAS40-06LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SBAS40-06LT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SS SHKY DIO 40V TR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBAS40-IB | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:INSTRUCTION BOOKLET |
| SBAS40LT1G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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