参数资料
型号: SCH1332-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-SCH
包装: 带卷 (TR)
SCH1332
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--20
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--1.5A
ID=--1.5A, VGS=--4.5V
--0.4
2.2
3.8
73
--1.3
95
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--0.8A, VGS=--2.5V
ID=--0.3A, VGS=--1.8V
VDS=--10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--2.5A
IS=--2.5A, VGS=0V
98
140
375
77
58
8.1
26
43
37
4.6
0.8
1.3
--0.82
138
215
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--4V
VIN
VIN
VDD= --10V
ID= --1.5A
RL=6.67 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
SCH1332
Ordering Information
Device
SCH1332-TL-H
Package
SCH6
Shipping
5,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1528-2/7
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