参数资料
型号: SCH1332-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-SCH
包装: 带卷 (TR)
SCH1332
--3.0
ID -- VDS
--5
ID -- VGS
V DS=  --10V
--2.5
--4
--2.0
--3
--1.5
--1.5V
--2
--1.0
--0.5
--1
0
VGS= --1.0V
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13008
Ta=25°C
250
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13009
250
200
--0.2A
--1.8V
VGS
I = --
V GS=
V, I D=
= --4.5
200
150
100
ID= --0.2A
--1.0A
--2.0A
150
100
=
V GS
, I D=
-- 2.5V, D
1.0A
--2.0A
50
50
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT14848
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14849
VGS=0V
5
3
2
° C
25
° C
3
2
1.0
7
5
Ta
=
--
25
75
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13012
VDD= --10V
VGS= --4V
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13013
f=1MHz
100
5
Ciss
7
5
tf
td (o ff )
3
2
3
2
10
7
tr
td(on)
100
7
5
3
C o ss
Crss
5
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT13014
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13015
No. A1528-3/7
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PDF描述
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SCH1333-TL-H 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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