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参数资料
| 型号： | SCH1332-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-SCH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SCH1332
op
1m
ms
0m
ati
a=
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --10V
ID= --2.5A
VGS -- Qg
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
IDP= --10A
ID= --2.5A
ASO
DC
er
Operation in this area
is limited by RDS(on).
10
on
(T
s
10
s
PW≤10μs
)
--0.5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
--0.01
0
0
1
2
3
4
5
--0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2 3
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14850
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14851
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14852
No. A1528-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SCH1333-TL-H | MOSFET P-CH 20V 2A SCH6 |
| SCH1343-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3.5A SCH6 |
| SCH1433-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6 |
| SCH1439-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6 |
| SD101201 | SENSOR GEARTOOTH SPEED PLASTIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SCH1333 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| SCH1333_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SCH1333-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SCH1334 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SCH1334-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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