参数资料
型号: SCH1433-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 260pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-SCH
包装: 带卷 (TR)
SCH1433
0 μ
1m
10
ms
0m
n(
Ta
25
° C
5
4
3
2
VDS=10V
ID=3.5A
VGS -- Qg
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
IDP=14A
ID=3.5A
ASO
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
e a r
10
t o i
s
=
PW≤10μs
10
s
s
)
1
7
5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.01
0
0
1
2
3
0.01
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
2 3
1.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15119
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15120
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15121
No. A1594-4/7
相关PDF资料
PDF描述
SCH1439-TL-H MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6
SD101201 SENSOR GEARTOOTH SPEED PLASTIC
SDP8407-001 PHOTOTRANSISTR SILICON NPN
SDP8436-004 PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1
SDP8476-201 PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK
相关代理商/技术参数
参数描述
SCH1434 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SCH1434-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SCH1435 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SCH1435-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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