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参数资料
| 型号： | SCH1439-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-SCH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SCH1439
IDP=14A (PW ≤ 10 μ s)
10
100
μ s
μ s
1m
ID=3.5A
s
10
0m
op 10
e a r
tio
n(
3 Ta
25
=
° C
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.01
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=10V
ID=3.5A
1
2
VGS -- Qg
3
4
5
6
100
7
5
3
2
10
7
5
3
1.0
7 s
5
2 Operation in this
7
5
0.01
ASO
0.1 area is limited by RDS(on). )
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
2 DC ms
5 7 100
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16023
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16149
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16150
No. A1861-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD101201 | SENSOR GEARTOOTH SPEED PLASTIC |
| SDP8407-001 | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN |
| SDP8436-004 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
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| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SCH-1500 | 制造商:Dantona Industries 功能描述:HI-TEMPERATURE NICKEL CADMIUM BATTERY; Battery Size Code:SC; Battery Capacity:1.5Ah; Battery Voltage:1.2V; Battery Technology:Nickel Cadmium; External Diameter:23mm; External Height:42mm; Battery Terminals:Flat Top ;RoHS Compliant: NA |
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| SCH1-E | 功能描述:端子 Copper Compression Splice with Corona Re RoHS:否 制造商:AVX 产品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 线规:26-18 接线柱/接头大小: 绝缘: 颜色:Red 型式:Female 触点电镀:Tin over Nickel 触点材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接类型:Crimp |
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