- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录356 > SDIN2B2-8G (SanDisk)IC INAND FLASH 8GB 169FBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SDIN2B2-8G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 25/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 8GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 64G（8G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x18） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页
Chapter 4 – iNAND Protocol Description
Revision 1.1
4.3.4
PRELIMINARY
Cyclic Redundancy Codes
SanDisk iNAND Product Manual
The Cyclic Redundancy Check (CRC) protects against transmission errors that may occur
on the iNAND bus. Detailed information and examples for CRC7 and CRC16 are provided
in Section 4.5 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
4.3.5
4.3.6
4.3.7
4.3.8
4.3.9
4.3.10
Error Conditions
See Section 4.6 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Commands
See Section 4.7 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 for detailed
information about iNAND commands.
Card State Transition
The state transition is dependent on the received command. The transition is defined in
Section 4.8 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 along with responses
sent on the command line.
Timing Diagrams and Values
See Section 4.12 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Speed Class Specification
The speed class specification classifies card performance by speed class number and offers
the method to calculate performance. For more information, refer to Section 4.13 of the
SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Erase Timeout Calculation
See Section 4.14 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
? 2007 SanDisk Corporation
4-2
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDK-DM3730-10-256512R | KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X |
| SDK-DM3730-20-256512R | KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X |
| SE162216 | ENCLOSURE ASSY 6U X 19" X 16" |
| SF-2194 | RACK SWING FRAME 38"X21.25" BLK |
| SF-2294 | RACK SWING FRAME 35" X 19" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C1-512M | 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C1-512M-Q | 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C1-512M-T | 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-1G | 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-1G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。