参数资料
型号: SDIN2B2-8G
厂商: SanDisk
文件页数: 7/29页
文件大小: 0K
描述: IC INAND FLASH 8GB 169FBGA
标准包装: 112
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: 闪存 - NAND
存储容量: 64G(8G x 8)
速度: 50MHz
接口: SD/SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 169-FBGA
供应商设备封装: 169-BGA(12x18)
包装: 散装
Chapter 1 – Introduction
Revision 1.1
PRELIMINARY
SanDisk iNAND Product Manual
When the host is ready to access a card in sleep mode, any command issued to it will cause
it to exit sleep, and respond.
1.10
iNAND — SD Bus Mode
The following sections provide valuable information on SanDisk iNAND in SD Bus mode.
SanDisk iNAND devices are fully compliant with the SDA Physical Layer Specification ,
Version 2.00 . Card Specific Data (CSD) Register structures are compliant with CSD
Structure 1.0 and 2.0.
This section covers Negotiating Operating Conditions, Card Acquisition and Identification,
Card Status, Memory Array Partitioning, Read/Write Operations, Data Transfer Rate, Data
Protection in Flash Cards, Write Protection, Copy Bit, and CSD Register.
Additional practical card detection methods can be found in application notes pertaining to
the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Figure 1-2
Memory Array Partitioning
SanDisk iNAND2
WP Group 0
Sector 1
Block
0
Block
1
Block
2
Block
n
Sector 2
Sector 3
Sector n
WP Group 1
WP Group 2
? 2007 SanDisk Corporation
1-4
02/09/07
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