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参数资料
| 型号： | SDIN2B2-8G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 27/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 8GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 64G（8G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x18） |
| 包装： | 散装 |
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Appendix A –Power Delivery/Capacitor Specifications
Revision 1.1
A.2.2
PRELIMINARY
VDD_H and VDD_F Connections
SanDisk iNAND Product Manual
The iNAND has two power domains labeled: VDD_H and VDD_F. Currently both power
domains can be connected to the same 3.3V (nom) power supply. However, in order to
provide maximum flexibility and support low power operation in future iNAND devices,
the PCB should be designed as follows:
?
?
All VDD_F balls should be connected to a 3.3V supply
All VDD_H balls should have the option of being connected either to a 3.3V or 1.8V
supply
SanDisk recommends providing separate bypass capacitors for each power domain as
shown in Figure 1.
Note : Signal routing in the diagram is for illustration purposes only and the final routing
depends on your PCB layout. Also, for clarity, the diagram does not show the VSS
connection. All balls marked VSS should be connected to a ground (GND) plane.
Figure 1. Recommended Power Domain Connections
14
13
12
11
10
9
8
7
Top
View
J10
VDD_
F
K9
VDD_
F
6
C6
VDD_
H
E6
VDD_
F
5
4
F5
VDD_F
M4
VDD
_H
N4
VDD_
H
P5
VDD_
H
3
2
1
C2
FCAP
P3
VDD_H
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
VDD_H
Trace Requirements (C_5):
Resistance < 2 ohm
VDD_F = 3.3V (nom)
power
supply
Inductance < 5nH
C_5
C_3
C_4
C_1
C_2
Capacitor C_5:
Capacitance >= 2.2uF
Voltage >= 6.3V
Dielectric: X7R or X5R
? 2007 SanDisk Corporation
VSS
VSS VSS
Close to
Ball F5
A-2
C_1=C_3>=2.2uF
C_2=C_4<=100nF
VSS VSS
Close to
Ball P3
02/09/07
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