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参数资料
| 型号： | SDIN2B2-8G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 9/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 8GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 64G（8G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x18） |
| 包装： | 散装 |
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Chapter 2 – Product Specifications
Revision 1.1
2
2.1
PRELIMINARY
Product Specifications
Overview
SanDisk iNAND Product Manual
For details about the environmental, reliability and durability specifications, refer to
Section 8.1 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00.
2.2
Typical Card Power Requirements
Table 2-1
iNAND Power Requirements (Ta=25°C@3.0V)
VDD (ripple: max, 60mV peak-to-peak) 2.7 V – 3.6 V
Value
Measurement
Average
Sleep
250
uA
Max.
Read
Default Speed
High-Speed
100
200
mA
mA
Max.
Max.
Write
Default Speed
High-Speed
100
200
mA
mA
Max.
Max.
Note: Current measurement numbers are average over 1 second.
2.3
2.3.1
Operating Conditions
Operating and Storage Temperature Specifications
Table 2-2
Operating and Storage Temperatures
Temperature
Operating
Non-Operating: After soldered onto PC Board
Non-Operating: In Tape/Reel
-25° C to 85° C
-40° C to 85° C
-10° C to 50° C
2.3.2
Moisture Sensitivity
The moisture sensitivity level for iNAND is MSL = 3.
? 2007 SanDisk Corporation
2-1
02/09/07
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