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参数资料
| 型号： | SDP8406-004 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | SDP8406-004 |
Silicon Phototransistor
SDP8406
Spectral Responsivity
gra_036.ds4
Wavelength - nm
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
400
600
800
1000 1200
Fig. 5
Coupling Characteristics
with SEP8506
gra_031.ds4
Lens-to-lens separation - inches
L
ig
h
t
c
u
rr
e
n
t
-
m
A
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2
4
6
10
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
F = 20 mA
V
CE = 5V
T
A = 25 °C
Fig. 6
All Performance Curves Show Typical Values
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
123
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8436-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SE1003-C | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SE1003 | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SE1470-001 | 1.57 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SE1470-002 | 1.57 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8406-139 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8406-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW; Transistor Polarity:NPN; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:50; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| SDP8406-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW |
| SDP8407-001 | 功能描述:光电晶体管 Silicon Phototransis RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8425-001 | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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