参数资料
| 型号： | SE5230DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.25 V/µs |
| 增益带宽积： | 600kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 40nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 1.1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NE5230, SA5230, SE5230
http://onsemi.com
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500 mV/Div 200mS /Div
Biased to Ground
500 mV/Div 20 mS/Div
Biased to Ground
500 mV/Div 20 mS/Div
Biased to Positive Rail
Good response is shown at 1.0 and 10 kHz for both circuits under full swing with a 2.0 V supply.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SE529H | 制造商:SNT 功能描述: |
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