参数资料
| 型号： | SE5230DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.25 V/µs |
| 增益带宽积： | 600kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 40nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 1.1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 32mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NE5230, SA5230, SE5230
http://onsemi.com
17
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
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