- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SFT1440-TL-E (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SFT1440-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA |
| 标准包装： | 700 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 欧姆 @ 800mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 130pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TP-FA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SFT1440
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=10mA, VGS=0V
VDS= 48 0V, VGS=0V
VGS=±24V, VDS=0V
600
100
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 0.8 A
3.0
1.0
5.0
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=0.8A, VGS=10V
VDS=30V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=300V, VGS=10V, ID=1.5A
IS=1.5A, VGS=0V
6.2
130
25
4.0
9.1
15
18
19
6.3
1.4
3.6
0.85
8.1
1.2
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=200V
ID=0.8A
RL=250 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
SFT1440
Ordering Information
Device
SFT1440-E
SFT1440-TL-E
Package
TP
TP-FA
Shipping
500pcs./bag
700pcs./reel
memo
Pb Free
15
2.0
1.8
1.6
ID -- VDS
V
8V
7V
2.0
1.8
1.6
VDS=10V
ID -- VGS
25 ° C
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1.2
1.0
0.8
0.6
75 ° C
0.4
0.2
6V
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS=5V
16 18
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15875
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT15876
No. A1816-2/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1443-H | MOSFET N-CH 100V 9A TP |
| SFT1445-H | MOSFET N-CH 100V 17A TP |
| SFT1450-H | MOSFET N-CH 40V 21A TP |
| SG923-0012-3.3-C | RF EVAL WI-FI MODULE |
| SGF23N60UFTU | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1443-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1443-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1445 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1445-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。