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参数资料
| 型号： | SFT1440-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA |
| 标准包装： | 700 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 欧姆 @ 800mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 130pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TP-FA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SFT1440
20
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
18
RDS(on) -- Tc
18
16
16
14
12
10
8
6
4
ID=0.8A
14
12
10
8
6
4
2
2
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
1.0
7
5
| y fs | -- ID
° C
25
IT15877
VDS=10V
3
2
1.0
7
5
3
2
VGS=0V
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15878
5 °
° C
3
2
0.1
7
Tc
=
--2
C
75
0.1
7
5
3
2
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.01
0.001
2
3
5 7 0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15879
VDD=200V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15880
f=1MHz
7
VGS=10V
3
5
3
2
100
7
5
Ciss
2
10
td (off)
tr
td(on)
3
2
10
7
5
C o ss
Crss
3
7
2
5
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
16
VDS=300V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT15893
10
7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP=6.0A (PW ≤ 10 μ s)
IT15894
era
1m
10
10
s
0m
n(
=2
μ s
0 μ
14
12
10
8
6
4
ID=1.5A
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
ID=1.5A
DC
op
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
t i o
Ta
s
m
5 ° C
)
10
s
10
s
2
3
2
Tc=25 ° C
Single pulse
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.01
2 3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15895
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15884
No. A1816-3/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1443-H | MOSFET N-CH 100V 9A TP |
| SFT1445-H | MOSFET N-CH 100V 17A TP |
| SFT1450-H | MOSFET N-CH 40V 21A TP |
| SG923-0012-3.3-C | RF EVAL WI-FI MODULE |
| SGF23N60UFTU | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1443-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1443-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1445 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1445-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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