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参数资料
| 型号： | SGH23N60UFD |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Ultra-Fast IGBT |
| 中文描述： | 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | SGH23N60UFD |
2000 Fairchild Semiconductor International
SGH23N60UFD Rev. A
S
G
H23N60UFD
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25℃
24A
12A
I
C
= 6A
C
o
lle
ct
or
-
E
m
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r
Vo
lt
age,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
24A
12A
I
C = 6A
C
o
lle
c
to
r-
E
m
itt
e
rV
o
lt
a
g
e
,
V
C
E
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
5
10
15
20
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 21W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
Lo
ad
C
u
rr
ent
[A
]
030
60
90
120
150
0
1
2
3
4
24A
12A
I
C = 6A
Common Emitter
V
GE = 15V
Co
llec
to
r-
Em
it
ter
Vol
tage,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
0.5
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
C
o
llect
o
rC
u
rre
n
t,
I C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
0246
8
0
20
40
60
80
100
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lec
to
rCu
rr
en
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
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