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参数资料
| 型号： | SGH23N60UFD |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Ultra-Fast IGBT |
| 中文描述： | 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | SGH23N60UFD |
2000 Fairchild Semiconductor International
SGH23N60UFD Rev. A
S
G
H23N60UFD
4
8
12
16
20
24
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 23
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Collector Current, I
C [A]
4
8
12
16
20
24
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 23
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Collector Current, I
C
[A]
110
100
200
30
100
1000
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
L
o
s
[u
J
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
200
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
200
10
100
200
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 12A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Ton
Tr
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
30
0
200
400
600
800
1000
1200
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE = 0V, f = 1MHz
T
C = 25
℃
C
a
pac
it
anc
e
[pF
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
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